IGBT

IGBT（絕緣柵雙極晶體管）絕緣柵雙極晶體管是由BJT（雙極晶體管）和MOS（絕緣柵場效應晶體管）組成的復合完全控制電壓驅動功率半導體器件，其具有兩個MOSFET。 GTR的高輸入阻抗和低導通電壓降的優點。 GTR飽和電壓降低，載流密度大，但驅動電流大; MOSFET驅動功率小，開關速度快，但導通電壓降大，且載流密度小。 IGBT結合了上述兩種器件的優點，具有低驅動功率和降低的飽和電壓。適用于直流電壓為600V及以上的轉換器系統，如交流電機、逆變器、開關電源、照明電路、牽引驅動和其他領域。

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