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基本參數

制造商: 英飛凌 

產品種類: IGBT 模塊  

集電極發射極最大電壓 VCEO: 1700 V 

集電極射極飽和電壓: 2.6 V 

在25 C的連續集電極電流: 200 A 

柵極射極漏泄電流: 200 nA 

功率耗散: 960 W 

最小工作溫度: - 40 C 

最大工作溫度: + 125 C 

高度: 30.5 mm  

長度: 106.4 mm  

寬度: 61.4 mm  

柵極發射極最大電壓: +/- 20 V  

包裝數量: 10只

IGBT保護方法

　　當過流情況出現時，IGBT必須維持在短路安全工作區(SCSOA)內。IGBT承受短路的時間與電源電壓、柵極驅動電壓以及結溫有密切關系。為了防止由于短路故障造成IGBT損壞，必須有完善的故障檢測與保護環節。一般的檢測方法分為電流傳感器和IGBT欠飽和式保護。

　　1)封鎖驅動信號

　　在逆變電源的負載過大或輸出短路的情況下，通過逆變橋輸入直流母線上的電流傳感器進行檢測。當檢測電流值超過設定的閾值時，保護動作封鎖所有橋臂的驅動信號。這種保護方法最直接，但吸收電路和箝位電路必須經特別設計，使其適用于短路情況。這種方法的缺點是會造成IGBT關斷時承受應力過大，特別是在關斷感性超大電流時，必須注意擎住效應。

　　2)減小柵壓

　　IGBT的短路電流和柵壓有密切關系，柵壓越高，短路時電流就越大。在短路或瞬態過流情況下若能在瞬間將vGS分步減少或斜坡減少，這樣短路電流便會減小下來，當IGBT關斷時，di/dt也減小。集成驅動電路如EXB841 或M579xx系列都有檢測vCES電路，當發現欠飽和時，柵壓箝位到10V左右，增大vCES，限制過電流幅值，延長允許過流時間。

　　整流拉逆變式組合保護方案

　　1、逆變部分保護

　　本設計逆變器為半橋式結構，串聯諧振負載，驅動采用IR公司的IR2110 半橋驅動芯片。IR2110電路簡單，成本低，適用于中大功率IGBT，實驗結果也驗證了IR2110驅動中大功率IGBT的可行性。IR2110芯片有一個封鎖兩路驅動的SD輸入端，當此引腳為高電平時，立刻封鎖兩路輸出。